К вопросу влияния температуры на однородность удельного сопротивления подложек карбида кремния
| Авторы: Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Шашурин В.Д. | Опубликовано: 09.06.2016 |
| Опубликовано в выпуске: #6(675)/2016 | |
| Раздел: Технология и технологические машины | |
| Ключевые слова: карбид кремния, электрические свойства, подложка, полупроводник, удельное сопротивление, температурное воздействие, монокристалл |
Исследованы подложки карбида кремния политипа 6Н-SiC диаметром 76 мм, изготовленные из монокристалла, выращенного с добавлением ванадия в качестве компенсирующей примеси. Рассмотрены методы измерения удельного сопротивления полуизолирующих подложек 6Н-SiC в диапазоне 105…1012 Омхсм. Приведены типичные карты распределения удельного сопротивления в этих подложках до термообработки и после нее. Установлено улучшение однородности распределения удельного сопротивления по подложке после отжига при температуре 1 050 °С в инертной среде, а также стабильность этого параметра во времени. Результаты проведенного исследования показали возможность применения полученного полуизолирующего материала в качестве подложечного для производства СВЧ-транзисторов с двумерным каналом AlGaN/GaN.
Литература
[1] Остроумов А.Г., Рогачев А.А. О.В. Лосев — пионер полупроводниковой электроники. Сб. науч. тр. Физика: проблемы, история, люди, Ленинград, Наука, 1986. 183 с.
[2] Новиков М.А. Лосев О.В. — пионер полупроводниковой электроники. Физика твердого тела, 2004, т. 46, с. 5–9.
[3] Afanasyev A.V., Ivanov B.V., Ilyin V.A., Kardo-Sysoev A.F., Kuznetsova M.A., Luchinin V.V. Superfast drift step recovery diodes (DSRDs) and vacuum field emission diodes based on 4H-SiC. Materials Science Forum, 2013, vol. 740–742, pp. 1010–1013.
[4] Deboy G., Ludwig H., Mallwitz R., Rupp R. New SiC JFET with Integrated Body Diode Boosts Performance of Photovoltaic Systems. Proc. PCIM, May 2011, 2011, Curran Associates, Nuremburg, 2011, pp. 204–213.
[5] Baoxing Duan, Yintang Yang. New Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT structure with the partial silicon doping. Micro & Nano Letters, 2012, vol. 7. iss. 1, pp. 9–11.
[6] Li L., Ryu Y., White H.W., Yu P. Characterization of ZnO UV photoconductors on the
[7] 6H-SiC substrate. Proceedings of SPIE — The International Society for Optical Engineering, 2010, vol. 7603. URL: http://www.researchgate.net/publication/241455510 (дата обращения 28 февраля 2016).
[8] Abdelkrim M., Loulou M., Gharbi R., Fathallah M, Pirri C.F., Tresso E. Static and dynamic electrical study of a-SiC:H based p–i–n structure, effect of hydrogen dilution of the intrinsic layer. Solid-State Electronics, 2007, vol. 51, iss. 1, pp. 159–163.
[9] Mukherjee M., Majumder N., Roy S.K., Goswami K. GaN IMPATT Diode: a photo sensitive high power terahertz source. Semicond Sci Technol, 2007, vol. 22, pp. 1258–1267.
[10] Лебедев А.А., Челноков В.Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники. Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, № 9, с. 1096–1099.
[11] Zhang W., Meyer B.K. Growth of GaN quasi-substrates by hydride vapor phase epitaxy. Physica status solidi (c), 2003, vol. 0, no. 6, pp. 1571–1582. doi: 10.1002/pssc.200303136.
[12] Ambacher O. Growth and applications of Group III-nitrides. Journal of Physics D: Applied Physics, 1998, vol. 31, iss. 20, pp. 2653–2710. doi: 10.1088/0022-3727/31/20/001.
[13] Попов В.В. Методика измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния. Машиностроитель, 2014, № 11, с. 27–33.
[14] SemiMap Analytical Systems. Corema-WT. URL: http://www.semimap.de/COREMA-WT.htm (дата обращения 28 февраля 2016).
